DDR是另外一种相对较为复杂，但是实现成本更低的提高内存速度的技术。我们已经知道，脉冲信号在高低压值之间的一次更替就是一个时钟周期。按照传统的内存设计工艺，每一个周期内只是在信号电压由最低值上升到最高值的上沿阶段进行数据的传送，而在信号电压由最高值转入最低值的下沿阶段则不执行任何操作。DDR技术对此进行了专门的改进，通过在内存芯片中加入新的控制逻辑，达到同时可以利用每一个时钟周期内的上沿和下沿完成两次数据传送。这样，不需要增加任何额外的线路或插槽，DDR技术通过对时钟信号下沿段的开发和利用，成倍提升了内存的性能。

Rambus (RDRAM)

　　RDRAM是一种由Rambus公司开发，并得到Intel大力支持和赞助的功能强大，但是价格昂贵的内存新技术。包括SDRAM在内的以往各种类型的内存一直采用被动响应模式，只能接收CPU的地址查询，然后经过一段延迟期之后返回相应的数据。整个过程中，内存芯片没有任何的处理能力或控制逻辑。

　　Rambus内存正是针对上述问题进行了改进和优化，在内存芯片中采用新的控制逻辑，并使用更加复杂的总线结构连接内存和系统。不同于传统的64位（8字节）的带宽通路，RDRAM在每个时钟周期内只能传送2字节的数据。但是，RDRAM内存支持更高的时钟频率，可以在600，700，和800MHz下运行。这样，当100MHz的SDRAM内存在10纳秒的周期内完成8字节数据传送的同时，800 MHz 的RDRAM内存已经运行了8个时钟周期，总共传送了16字节的数据，数据吞吐量相当于SDRAM内存的两倍。

　　从内存所采用的基本技术上来说，RDRAM和SDRAM并没有本质的区别，时钟周期同样是10纳秒（相当于100MHz SDRAM）。那么RDRAM为什么能够在800 MHz下运行呢？原来RDRAM内存使用了管道技术，把所有的内存芯片相互组合成不同的逻辑设备，其中每一组设备都可以传送2字节的数据。通过内存总线的调度，后一组设备将比前一组设备延迟1/8个周期传送数据。通过这种流水线式的作业方式，在10纳秒时钟周期的限制之下，整个内存系统的速度可以提升8倍。

　　关于RDRAM内存，有一点需要注意。RDRAM同样是利用了一个时钟周期内的上、下沿传送数据。因此，虽然我们说RDRAM内存的速度可以达到800 MHz，但是实际上内存总线的时钟频率仅为400 MHz。